HN3C10FUTE85LF

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	HN3C10FUTE85LF
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opis	RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - bipolar (bjt) - rf
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Dostępność

W magazynie	111
Cena jednostkowa	$ 0.54000

HN3C10FUTE85LF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HN3C10FUTE85LF Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	2 NPN (Dual)
napięcie - awaria kolektor-emiter (max):	12V
częstotliwość - przejście:	7GHz
współczynnik szumów (db typ @ f):	1.1dB @ 1GHz
osiągać:	11.5dB
moc - max:	200mW
wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 20mA, 10V
prąd - kolektor (ic) (max):	80mA
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pakiet urządzeń dostawcy:	US6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.