SI7900AEDN-T1-GE3

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	SI7900AEDN-T1-GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - arrays
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	SI7900AEDN-T1-GE3 PDF

Dostępność

W magazynie	1
Cena jednostkowa	$ 1.23000

SI7900AEDN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SI7900AEDN-T1-GE3 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
funkcja fet:	Logic Level Gate
napięcie dren-źródło (vdss):	20V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	6A
rds na (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (maks.) @ id:	900mV @ 250µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	16nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	-
moc - max:	1.5W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	PowerPAK® 1212-8 Dual
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerPAK® 1212-8 Dual

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.