FF23MR12W1M1B11BOMA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	FF23MR12W1M1B11BOMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Opis	MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - arrays
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	FF23MR12W1M1B11BOMA1 PDF

Dostępność

W magazynie	391 340
Cena jednostkowa	$ 92.76000

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	CoolSiC™+
pakiet:	Tray
stan części:	Active
typ fety:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Silicon Carbide (SiC)
napięcie dren-źródło (vdss):	1200V (1.2kV)
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	50A
rds na (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (maks.) @ id:	5.55V @ 20mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	125nC @ 15V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3950pF @ 800V
moc - max:	20mW
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.