IPG20N10S4L35AATMA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IPG20N10S4L35AATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - arrays
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IPG20N10S4L35AATMA1 PDF

Dostępność

W magazynie	195 755
Cena jednostkowa	$ 0.66868

IPG20N10S4L35AATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPG20N10S4L35AATMA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fety:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
napięcie dren-źródło (vdss):	100V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	20A
rds na (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.1V @ 16µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	17.4nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1105pF @ 25V
moc - max:	43W
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount, Wettable Flank
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TDSON-8-10

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.