EPC2105

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	EPC2105
Producent	EPC
Opis	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - arrays
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	EPC2105 PDF

Dostępność

W magazynie	554
Cena jednostkowa	$ 7.14000

EPC2105 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2105 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	eGaN®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	2 N-Channel (Half Bridge)
funkcja fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
napięcie dren-źródło (vdss):	80V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	9.5A, 38A
rds na (max) @ id, vgs:	14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
moc - max:	-
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	Die
pakiet urządzeń dostawcy:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.