EPC2108

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	EPC2108
Producent	EPC
Opis	GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - arrays
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	EPC2108 PDF

Dostępność

W magazynie	2 586
Cena jednostkowa	$ 1.91000

EPC2108 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2108 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	eGaN®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
funkcja fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
napięcie dren-źródło (vdss):	60V, 100V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	1.7A, 500mA
rds na (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
moc - max:	-
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	9-VFBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	9-BGA (1.35x1.35)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.