TK3A65D(STA4,Q,M)

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	TK3A65D(STA4,Q,M)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opis	MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	TK3A65D(STA4,Q,M) PDF

Dostępność

W magazynie	932 435
Cena jednostkowa	$ 1.43220

TK3A65D(STA4,Q,M) Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TK3A65D(STA4,Q,M) Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	π-MOSVII
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	650 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	3A (Ta)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	2.25Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4.4V @ 1mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	11 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	540 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	35W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220SIS
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.