IRF40H210

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IRF40H210
Producent	Rochester Electronics
Opis	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IRF40H210 PDF

Dostępność

W magazynie	7 883
Cena jednostkowa	$ 0.56000

IRF40H210 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRF40H210 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	HEXFET®, StrongIRFET™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	40 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	100A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	6V, 10V
rds na (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	3.7V @ 150µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	152 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5.406 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	125W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-PQFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.