NTGD4169FT1G

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	NTGD4169FT1G
Producent	Rochester Electronics
Opis	MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	NTGD4169FT1G PDF

Dostępność

W magazynie	185 907
Cena jednostkowa	$ 0.15000

NTGD4169FT1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NTGD4169FT1G Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	30 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	2.6A (Ta)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	2.5V, 4.5V
rds na (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (maks.) @ id:	1.5V @ 250µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	5.5 nC @ 4.5 V
bdb (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	295 pF @ 15 V
funkcja fet:	Schottky Diode (Isolated)
rozpraszanie mocy (maks.):	900mW (Ta)
temperatura robocza:	-25°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-TSOP
opakowanie / etui:	SOT-23-6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.