BSC097N06NSTATMA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	BSC097N06NSTATMA1
Producent	Rochester Electronics
Opis	BSC097N06 - TRENCH 40<-<100V
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	BSC097N06NSTATMA1 PDF

Dostępność

W magazynie	9 500
Cena jednostkowa	$ 0.36000

BSC097N06NSTATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSC097N06NSTATMA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	60 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	13A (Ta), 48A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	6V, 10V
rds na (max) @ id, vgs:	9.7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	3.3V @ 14µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	15 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.075 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3W (Ta), 43W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TDSON-8-1
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.