FCU850N80Z

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	FCU850N80Z
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Opis	MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	FCU850N80Z PDF

Dostępność

W magazynie	1 785
Cena jednostkowa	$ 1.66000

FCU850N80Z Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FCU850N80Z Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	SuperFET® II
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	800 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	6A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4.5V @ 600µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	29 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1315 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	75W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I-PAK
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.