IPB80N03S4L03ATMA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IPB80N03S4L03ATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Opis	MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IPB80N03S4L03ATMA1 PDF

Dostępność

W magazynie	496
Cena jednostkowa	$ 1.61000

IPB80N03S4L03ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPB80N03S4L03ATMA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	30 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	80A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	4.5V, 10V
rds na (max) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.2V @ 45µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	75 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5100 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	94W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO263-3-2
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.