IPD60R750E6BTMA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IPD60R750E6BTMA1
Producent	Rochester Electronics
Opis	MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IPD60R750E6BTMA1 PDF

Dostępność

W magazynie	37 500
Cena jednostkowa	$ 0.45000

IPD60R750E6BTMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPD60R750E6BTMA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	CoolMOS™ E6
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	600 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	5.7A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	-
rds na (max) @ id, vgs:	750mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	3.5V @ 170µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	17.2 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	373 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	48W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO252-3-313
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.