RV2C002UNT2L

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	RV2C002UNT2L
Producent	ROHM Semiconductor
Opis	MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	RV2C002UNT2L PDF

Dostępność

W magazynie	373 038
Cena jednostkowa	$ 0.42000

RV2C002UNT2L Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RV2C002UNT2L Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	20 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	180mA (Ta)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	1.2V, 4.5V
rds na (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (maks.) @ id:	1V @ 100µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	-
bdb (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	12 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	100mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DFN1006-3 (VML1006)
opakowanie / etui:	SC-101, SOT-883

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.