SCT3080ALGC11

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	SCT3080ALGC11
Producent	ROHM Semiconductor
Opis	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	SCT3080ALGC11 PDF

Dostępność

W magazynie	1 705
Cena jednostkowa	$ 10.86000

SCT3080ALGC11 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCT3080ALGC11 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
napięcie dren-źródło (vdss):	650 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	30A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	18V
rds na (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (maks.) @ id:	5.6V @ 5mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	48 nC @ 18 V
bdb (maks.):	+22V, -4V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	571 pF @ 500 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	134W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247N
opakowanie / etui:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.