TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opis	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) PDF

Dostępność

W magazynie	186 549
Cena jednostkowa	$ 0.50820

TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	U-MOSVI
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fety:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	60 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	8A (Ta)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	6V, 10V
rds na (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	3V @ 1mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	19 nC @ 10 V
bdb (maks.):	+10V, -20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	890 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	27W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK+
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.