CSD13306W

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	CSD13306W
Producent	Texas Instruments
Opis	MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Dostępność

W magazynie	2 903
Cena jednostkowa	$ 0.53000

CSD13306W Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

CSD13306W Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	NexFET™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	12 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	3.5A (Ta)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	2.5V, 4.5V
rds na (max) @ id, vgs:	10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (maks.) @ id:	1.3V @ 250µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	11.2 nC @ 4.5 V
bdb (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1370 pF @ 6 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.9W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-DSBGA (1x1.5)
opakowanie / etui:	6-UFBGA, DSBGA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.