SCT2750NYTB

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	SCT2750NYTB
Producent	ROHM Semiconductor
Opis	SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	SCT2750NYTB PDF

Dostępność

W magazynie	1 462
Cena jednostkowa	$ 6.79000

SCT2750NYTB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCT2750NYTB Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
napięcie dren-źródło (vdss):	1700 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	5.9A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	18V
rds na (max) @ id, vgs:	975mOhm @ 1.7A, 18V
vgs(th) (maks.) @ id:	4V @ 630µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	17 nC @ 18 V
bdb (maks.):	+22V, -6V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	275 pF @ 800 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	57W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-268
opakowanie / etui:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.