TK10A80W,S4X

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	TK10A80W,S4X
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opis	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	TK10A80W,S4X PDF

Dostępność

W magazynie	1 867 000
Cena jednostkowa	$ 2.52440

TK10A80W,S4X Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TK10A80W,S4X Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	DTMOSIV
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	800 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	9.5A (Ta)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	550mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4V @ 450µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	19 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1150 pF @ 300 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	40W (Tc)
temperatura robocza:	150°C
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220SIS
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.