IPA65R095C7XKSA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IPA65R095C7XKSA1
Producent	Rochester Electronics
Opis	MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IPA65R095C7XKSA1 PDF

Dostępność

W magazynie	523
Cena jednostkowa	$ 2.61000

IPA65R095C7XKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPA65R095C7XKSA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	CoolMOS™ C7
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	650 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	12A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4V @ 590µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	45 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2.14 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	34W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO220-FP
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.