IPI65R660CFDXKSA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IPI65R660CFDXKSA1
Producent	Rochester Electronics
Opis	MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IPI65R660CFDXKSA1 PDF

Dostępność

W magazynie	15 500
Cena jednostkowa	$ 0.65000

IPI65R660CFDXKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPI65R660CFDXKSA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	CoolMOS™
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	650 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	6A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4.5V @ 200µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	22 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	615 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	62.5W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO262-3
opakowanie / etui:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.