IMBG120R090M1HXTMA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IMBG120R090M1HXTMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Opis	TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IMBG120R090M1HXTMA1 PDF

Dostępność

W magazynie	466 828
Cena jednostkowa	$ 14.47000

IMBG120R090M1HXTMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IMBG120R090M1HXTMA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	CoolSiC™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
napięcie dren-źródło (vdss):	1.2 kV
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	26A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	-
rds na (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (maks.) @ id:	5.7V @ 3.7mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	23 nC @ 18 V
bdb (maks.):	+18V, -15V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	763 pF @ 800 V
funkcja fet:	Standard
rozpraszanie mocy (maks.):	136W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO263-7-12
opakowanie / etui:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.