FQA11N90-F109

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	FQA11N90-F109
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Opis	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	FQA11N90-F109 PDF

Dostępność

W magazynie	240
Cena jednostkowa	$ 4.06000

FQA11N90-F109 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FQA11N90-F109 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	QFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	900 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	11.4A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	960mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	5V @ 250µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	94 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3500 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	300W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-3PN
opakowanie / etui:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.