SI3473DDV-T1-GE3

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	SI3473DDV-T1-GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Opis	MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	SI3473DDV-T1-GE3 PDF

Dostępność

W magazynie	2 943
Cena jednostkowa	$ 0.53000

SI3473DDV-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SI3473DDV-T1-GE3 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	TrenchFET® Gen III
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	12 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	8A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	1.8V, 4.5V
rds na (max) @ id, vgs:	17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
vgs(th) (maks.) @ id:	1V @ 250µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	57 nC @ 8 V
bdb (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1975 pF @ 6 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.6W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-TSOP
opakowanie / etui:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.