SCT20N120H

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	SCT20N120H
Producent	STMicroelectronics
Opis	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Dostępność

W magazynie	36
Cena jednostkowa	$ 12.58000

SCT20N120H Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCT20N120H Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
napięcie dren-źródło (vdss):	1200 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	20A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	20V
rds na (max) @ id, vgs:	290mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (maks.) @ id:	3.5V @ 1mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	45 nC @ 20 V
bdb (maks.):	+25V, -10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	650 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	175W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 200°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	H2Pak-2
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.