TPH3212PS

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	TPH3212PS
Producent	Transphorm
Opis	GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	TPH3212PS PDF

Dostępność

W magazynie	559
Cena jednostkowa	$ 14.65000

TPH3212PS Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TPH3212PS Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Last Time Buy
typ fety:	N-Channel
technologia:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
napięcie dren-źródło (vdss):	650 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	27A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	72mOhm @ 17A, 8V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.6V @ 400uA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	14 nC @ 8 V
bdb (maks.):	±18V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1130 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	104W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB
opakowanie / etui:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.