NTD4979N-35G

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	NTD4979N-35G
Producent	Rochester Electronics
Opis	MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A I-PAK
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	NTD4979N-35G PDF

Dostępność

W magazynie	267 303
Cena jednostkowa	$ 0.25000

NTD4979N-35G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NTD4979N-35G Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	30 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	9.4A (Ta), 41A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	4.5V, 10V
rds na (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.5V @ 250µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	16.5 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	837 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I-PAK
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.