NTD5862N-1G

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	NTD5862N-1G
Producent	Rochester Electronics
Opis	MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	NTD5862N-1G PDF

Dostępność

W magazynie	312 140
Cena jednostkowa	$ 0.73000

NTD5862N-1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NTD5862N-1G Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	60 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	98A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	5.7mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4V @ 250µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	82 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	6 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	115W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.