IPA180N10N3GXKSA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IPA180N10N3GXKSA1
Producent	Rochester Electronics
Opis	28A, 100V, 0.018OHM, N-CHANNEL,
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IPA180N10N3GXKSA1 PDF

Dostępność

W magazynie	1 839
Cena jednostkowa	$ 0.69000

IPA180N10N3GXKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPA180N10N3GXKSA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	100 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	28A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	6V, 10V
rds na (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	3.5V @ 35µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	25 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.8 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	30W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO220-FP
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.