GA50JT12-247

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	GA50JT12-247
Producent	GeneSiC Semiconductor
Opis	TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	GA50JT12-247 PDF

Dostępność

W magazynie	6
Cena jednostkowa	$ 99.01000

GA50JT12-247 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

GA50JT12-247 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fety:	-
technologia:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
napięcie dren-źródło (vdss):	1200 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	100A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	-
rds na (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 50A
vgs(th) (maks.) @ id:	-
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	-
bdb (maks.):	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	7209 pF @ 800 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	583W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247AB
opakowanie / etui:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.