IPT60R125G7XTMA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IPT60R125G7XTMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Opis	MOSFET N-CH 650V 20A 8HSOF
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IPT60R125G7XTMA1 PDF

Dostępność

W magazynie	1 497
Cena jednostkowa	$ 4.45000

IPT60R125G7XTMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPT60R125G7XTMA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	CoolMOS™ G7
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	650 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	20A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4V @ 320µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	27 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1080 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	120W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-HSOF-8-2
opakowanie / etui:	8-PowerSFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.