SQW61N65EF-GE3

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	SQW61N65EF-GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Opis	MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	SQW61N65EF-GE3 PDF

Dostępność

W magazynie	480
Cena jednostkowa	$ 11.72000

SQW61N65EF-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SQW61N65EF-GE3 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	Automotive, AEC-Q101, E
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	650 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	62A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	-
rds na (max) @ id, vgs:	52mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4V @ 250µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	344 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	7379 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	625W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247AD
opakowanie / etui:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.