TP65H070LSG

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	TP65H070LSG
Producent	Transphorm
Opis	GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Dostępność

W magazynie	234 597
Cena jednostkowa	$ 12.98000

TP65H070LSG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H070LSG Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	TP65H070L
pakiet:	Tube
stan części:	Discontinued at Digi-Key
typ fety:	N-Channel
technologia:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
napięcie dren-źródło (vdss):	650 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	25A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4.8V @ 700µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	600 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	96W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	3-PQFN (8x8)
opakowanie / etui:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.