G3R160MT12D

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	G3R160MT12D
Producent	GeneSiC Semiconductor
Opis	SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	G3R160MT12D PDF

Dostępność

W magazynie	535
Cena jednostkowa	$ 6.72000

G3R160MT12D Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

G3R160MT12D Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	G3R™
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
napięcie dren-źródło (vdss):	1200 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	22A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	15V
rds na (max) @ id, vgs:	192mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.69V @ 5mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	28 nC @ 15 V
bdb (maks.):	±15V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	730 pF @ 800 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	123W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247-3
opakowanie / etui:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.