TPH3205WSBQA

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	TPH3205WSBQA
Producent	Transphorm
Opis	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	TPH3205WSBQA PDF

Dostępność

W magazynie	406
Cena jednostkowa	$ 22.97000

TPH3205WSBQA Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TPH3205WSBQA Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tube
stan części:	Not For New Designs
typ fety:	N-Channel
technologia:	GaNFET (Gallium Nitride)
napięcie dren-źródło (vdss):	650 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	35A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	62mOhm @ 22A, 8V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.6V @ 700µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	42 nC @ 8 V
bdb (maks.):	±18V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2200 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	125W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247-3
opakowanie / etui:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.