RN1911FETE85LF

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	RN1911FETE85LF
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opis	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - bipolar (bjt) - arrays, pre-biased
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	RN1911FETE85LF PDF

Dostępność

W magazynie	3 645
Cena jednostkowa	$ 0.38000

RN1911FETE85LF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RN1911FETE85LF Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
prąd - kolektor (ic) (max):	100mA
napięcie - awaria kolektor-emiter (max):	50V
rezystor - podstawa (r1):	10kOhms
rezystor - podstawa emitera (r2):	-
wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	100nA (ICBO)
częstotliwość - przejście:	250MHz
moc - max:	100mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-563, SOT-666
pakiet urządzeń dostawcy:	ES6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.