EPC2106ENGRT

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	EPC2106ENGRT
Producent	EPC
Opis	GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - arrays
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	EPC2106ENGRT PDF

Dostępność

W magazynie	744 019
Cena jednostkowa	$ 0.00000

EPC2106ENGRT Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2106ENGRT Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	eGaN®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Discontinued at Digi-Key
typ fety:	2 N-Channel (Half Bridge)
funkcja fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
napięcie dren-źródło (vdss):	100V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	1.7A
rds na (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 5V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.5V @ 600µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	0.73nC @ 5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	75pF @ 50V
moc - max:	-
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	Die
pakiet urządzeń dostawcy:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.