IRF1902PBF

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IRF1902PBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Opis	MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IRF1902PBF PDF

Dostępność

W magazynie	659 830
Cena jednostkowa	$ 0.00000

IRF1902PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRF1902PBF Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	20 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	4.2A (Ta)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	2.7V, 4.5V
rds na (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (maks.) @ id:	700mV @ 250µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	7.5 nC @ 4.5 V
bdb (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	310 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.