GPA030A135MN-FDR

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	GPA030A135MN-FDR
Producent	SemiQ
Opis	IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - igbts - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	GPA030A135MN-FDR PDF

Dostępność

W magazynie	771 939
Cena jednostkowa	$ 0.00000

GPA030A135MN-FDR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

GPA030A135MN-FDR Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ IGBT:	Trench Field Stop
napięcie - awaria kolektor-emiter (max):	1350 V
prąd - kolektor (ic) (max):	60 A
prąd - kolektor impulsowy (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 30A
moc - max:	329 W
przełączanie energii:	4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	300 nC
td (wł./wył.) @ 25°c:	30ns/145ns
warunki testowe:	600V, 30A, 5Ohm, 15V
czas powrotu do tyłu (trr):	450 ns
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-3PN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.