FAM65HR51DS2

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	FAM65HR51DS2
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Opis	IGBT MODULE 650V 33A 135W
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - igbts - modules
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Dostępność

W magazynie	637 942
Cena jednostkowa	$ 62.75194

FAM65HR51DS2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FAM65HR51DS2 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ IGBT:	-
konfiguracja:	Half Bridge Inverter
napięcie - awaria kolektor-emiter (max):	650 V
prąd - kolektor (ic) (max):	33 A
moc - max:	135 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
prąd - odcięcie kolektora (max):	-
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	4.86 nF @ 400 V
Wejście:	Standard
termistor ntc:	No
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	-
pakiet urządzeń dostawcy:	-

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.