IMZ120R220M1HXKSA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IMZ120R220M1HXKSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Opis	SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IMZ120R220M1HXKSA1 PDF

Dostępność

W magazynie	1 247 324
Cena jednostkowa	$ 9.15000

IMZ120R220M1HXKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IMZ120R220M1HXKSA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	CoolSiC™
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
napięcie dren-źródło (vdss):	1.2 kV
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	13A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	15V, 18V
rds na (max) @ id, vgs:	220mOhm @ 4A, 18V
vgs(th) (maks.) @ id:	5.7V @ 1.6mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	8.5 nC @ 18 V
bdb (maks.):	+23V, -7V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	289 pF @ 800 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	75W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO247-4-1
opakowanie / etui:	TO-247-4

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.