APTM100DA18T1G

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	APTM100DA18T1G
Producent	Microsemi
Opis	MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	APTM100DA18T1G PDF

Dostępność

W magazynie	4 519 245
Cena jednostkowa	$ 0.00000

APTM100DA18T1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

APTM100DA18T1G Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	1000 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	40A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	216mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	5V @ 2.5mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	570 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	14800 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	657W (Tc)
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SP1
opakowanie / etui:	SP1

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.