TK100E06N1,S1X

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	TK100E06N1,S1X
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opis	MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	TK100E06N1,S1X PDF

Dostępność

W magazynie	932 450
Cena jednostkowa	$ 2.62000

TK100E06N1,S1X Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TK100E06N1,S1X Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	U-MOSVIII-H
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	60 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	100A (Ta)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4V @ 1mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	140 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	10500 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	255W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220
opakowanie / etui:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.