SCTWA50N120

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	SCTWA50N120
Producent	STMicroelectronics
Opis	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	SCTWA50N120 PDF

Dostępność

W magazynie	1 240
Cena jednostkowa	$ 29.63000

SCTWA50N120 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCTWA50N120 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
napięcie dren-źródło (vdss):	1200 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	65A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	20V
rds na (max) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (maks.) @ id:	3V @ 1mA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	122 nC @ 20 V
bdb (maks.):	+25V, -10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1900 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	318W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 200°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	HiP247™
opakowanie / etui:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.