IPB029N06N3GATMA1

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	IPB029N06N3GATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Opis	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	IPB029N06N3GATMA1 PDF

Dostępność

W magazynie	9 000
Cena jednostkowa	$ 1.95000

IPB029N06N3GATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPB029N06N3GATMA1 Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fety:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):	60 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	120A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	2.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4V @ 118µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	165 nC @ 10 V
bdb (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	13000 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	188W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D²PAK (TO-263AB)
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.