TPH3206LSB

Obraz ma charakter poglądowy. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz

Część producenta	TPH3206LSB
Producent	Transphorm
Opis	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Kategoria	discrete semiconductor products
Rodzina	transistors - fets, mosfets - single
Koło życia:	New from this manufacturer.
Dostawa:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zapłata	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Arkusz danych	TPH3206LSB PDF

Dostępność

W magazynie	5 118
Cena jednostkowa	$ 10.28000

TPH3206LSB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TPH3206LSB Dane techniczne

Typ	Opis
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fety:	N-Channel
technologia:	GaNFET (Gallium Nitride)
napięcie dren-źródło (vdss):	650 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:	16A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min. wł.):	10V
rds na (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.6V @ 500µA
opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:	6.2 nC @ 4.5 V
bdb (maks.):	±18V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	720 pF @ 480 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	81W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PQFN (8x8)
opakowanie / etui:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.